vmos管原理

     功率场效应晶体管（VF）又称VMOS场效应管。

    在实际应用中，它有着比晶体管和MOS场效应管更好的特性。

原理如下

     具有较高的 开启电压，即是 阈值电压，可达2~6V(一般在1.5V~5V之间）。当环境 噪声较高时，可以选 用 阈值电压较高的管子，以提高 抗干扰能力反之，当噪声较低时，选用阈值电压较低的管子，以降低所需的输入驱动信号电压。给电路设计带来了极大地方便。