短路保护原理：
短路保护，desat保护又叫退饱和保护。
短路保护其实是驱动芯片监测的 Vce之间的压降。可以参考数据手册得知desat设定的阈值，Vce达到这个阈值就开始进行短路保护动作。
IGBT发生短路时，电流上升至4倍额定电流以上，最终IGBT是要将这个电流关断掉的，这时的电流数值比平常工作的电流高了许多，所以此时的电压尖峰也是非常高的。所以为了防止高的电压尖峰损坏IGBT，还需要引入有源钳位电路吸收掉此时的高电压尖峰。
desat保护又叫退饱和保护。
其原理是：（1）当IGBT关断时，T1导通，电流源1被T1旁路，Ca的点位被钳位到低位，比较器不翻转
（2）当IGBT进入开通过程中，T1截止，IGBT进入饱和导通，电流源1流过Rm，Dm及IGBT形成回路，比较器不翻转
（3）当IGBT出现短路时，会退出饱和区，Vce快速上升直至母线电压，Dm马上截止，电流源1则向 Ca充电，Ca的点位线性上升，达到门槛时比较器翻转。
短路保护其实是驱动芯片监测的 Vce之间的压降。可以参考数据手册得知desat设定的阈值，Vce达到这个阈值就开始进行短路保护动作。
