首先，二者發光原理不同。
DUV光刻機光源為準分子鐳射，而EUV光刻機則是鐳射激發電漿來發射EUV光子。通過不同方式，二者發出的光源也不同。其中，DUV光刻機的波長能達到193奈米，而EUV光源的波長則為13.5奈米。
二者之間的差距十分明顯，波長越短，所能實現的分辨率越高。這讓EUV光刻機能夠承擔高精度晶片的生產任務。
其次，二者的光路系統有著明顯的差異。
DUV光路主要利用光的折射原理。其中，浸沒式光刻機會在投影透鏡與晶圓之間，填入去離子水，使得193nm的光波等效至134nm而幹法光刻機則不會如此，其介質為空氣。
而EUV光刻機則是利用的光的反射原理，內部必須為真空操作。這是因為，EUV光刻機的光源極易被介質吸收，只要真空才能最大程度保證光源能量不被損失。
最後，EUV光刻機鏡頭難度更大。
目前的光刻機主要分為EUV光刻機和DUV光刻機。DUV是深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者採用極紫外光刻技術，後者採用深紫外光刻技術。EUV已被確定為先進工藝晶片光刻機的發展方向。
DUV已經能滿足絕大多數需求：覆蓋7nm及以上製程需求。DUV和EUV最大的區別在光源方案。duv的光源為準分子鐳射，光源的波長能達到193奈米。然而，euv鐳射激發電漿來發射EUV光子，光源的波長則為13.5奈米。
從製程範圍方面來談duv基本上只能做到25nm，Intel憑藉雙工作臺的模式做到了10nm，卻無法達到10nm以下。euv能滿足10nm以下的晶圓權制造，並且還可以向5nm、3nm繼續延伸。
duv和euv光刻機區別還有光路系統不同。
duv：主要利用光的折射原理。其中，浸沒式光刻機會在投影透鏡與晶圓之間，填入去離子水，使得193nm的光波等效至134nm。
euv：利用的光的反射原理，內部必須為真空
