IGBT(絕緣柵雙極型晶體管）模塊，是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的複合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件，其具有自關斷的特徵。簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點，如驅動功率小和飽和壓降低等。
IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品封裝後的IGBT模塊直接應用於變頻器、UPS不間斷電源等設備上IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所説的IGBT也指IGBT模塊隨着節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見。
IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
