日本命名法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管(MOSFET)、K-N沟道场效应管(MOSFET)、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
如2SK134为N沟道MOSFET，2SJ49为P沟道MOSFET。
中国命名法
中国命名场效应管(MOSFET)通常有下列两种命名方法。
第一种命名方法是使用“中国半导体器件型号命名法”的第3、第4和第5部分来命名，其中的第3部分用字母CS表示场效应管(MOSFET)，第4部分用阿拉伯数字表示器件序号，第5部分用汉语拼音字母表示规格号。例如CS2B、CS14A、CS45G等。
第二种命名方法与双极型三极管相同，第一位用数字代表电极数第二位用字母代表极性（其中D是N沟道，C是P沟道）第三位用字母代表类型（其中J代表结型场效应管(MOSFET)，O代表绝缘栅场效应管(MOSFET)）。例如，3DJ6D是N沟道结型场效应三极管，3D06C是N沟道绝缘栅型场效应三极管。
mos管的命名规则
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管.第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道C是N型硅P沟道
